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资料
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB10N60R2DT4G 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 72 W, 600 V, TO-252, 3 引脚87235+￥5.945425+￥5.505050+￥5.1967100+￥5.0646500+￥4.97652500+￥4.86645000+￥4.822410000+￥4.7563 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。283710+￥11.8428100+￥11.2507500+￥10.85591000+￥10.83622000+￥10.75725000+￥10.65857500+￥10.579610000+￥10.5401 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGB10M65DF2 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.55 V, 115 W, 650 V, TO-263, 3 引脚97295+￥5.896825+￥5.460050+￥5.1542100+￥5.0232500+￥4.93582500+￥4.82665000+￥4.783010000+￥4.7174 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3Pin DPAK ROHS465110+￥7.1940100+￥6.8343500+￥6.59451000+￥6.58252000+￥6.53465000+￥6.47467500+￥6.426610000+￥6.4027 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R44495+￥19.802350+￥18.9560200+￥18.4821500+￥18.36361000+￥18.24522500+￥18.10985000+￥18.02517500+￥17.9405 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R56241+￥67.727010+￥64.7823100+￥64.2523250+￥63.8400500+￥63.19221000+￥62.89772500+￥62.48555000+￥62.1321 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920010+￥8.2932100+￥7.8785500+￥7.60211000+￥7.58832000+￥7.53305000+￥7.46397500+￥7.408610000+￥7.3809 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R14841+￥50.233510+￥47.3513100+￥45.2102250+￥44.8808500+￥44.55141000+￥44.18082500+￥43.85145000+￥43.6455 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。398510+￥6.0084100+￥5.7080500+￥5.50771000+￥5.49772000+￥5.45765000+￥5.40767500+￥5.367510000+￥5.3475 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP超快速IGBT N-channel 600V - 6A - DPAK / D2PAK / TO-220 / TO-220FP Hyper fast IGBT94825+￥11.877850+￥11.3702200+￥11.0860500+￥11.01491000+￥10.94392500+￥10.86265000+￥10.81197500+￥10.7611 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道600V - 7A - TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT44291+￥45.454810+￥42.8467100+￥40.9093250+￥40.6112500+￥40.31321000+￥39.97782500+￥39.67985000+￥39.4935 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。18715+￥18.995050+￥18.1832200+￥17.7286500+￥17.61501000+￥17.50132500+￥17.37155000+￥17.29037500+￥17.2091 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGD6NC60HD 系列 N沟道 600 V 7 A 极快 PowerMESH IGBT - TO-252-325835+￥3.825925+￥3.542550+￥3.3441100+￥3.2591500+￥3.20242500+￥3.13165000+￥3.103210000+￥3.0607 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed66115+￥5.003125+￥4.632550+￥4.3731100+￥4.2619500+￥4.18782500+￥4.09515000+￥4.058110000+￥4.0025 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGB20NB41LZ 系列 N-沟道 442 V 20 A 内部钳位 PowerMESH IGBT-D2PAK507510+￥6.5148100+￥6.1891500+￥5.97191000+￥5.96102000+￥5.91765000+￥5.86337500+￥5.819910000+￥5.7982 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。753010+￥8.2404100+￥7.8284500+￥7.55371000+￥7.54002000+￥7.48505000+￥7.41647500+￥7.361410000+￥7.3340 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGD8NC60KD 系列 600 V 8 A 表面贴装 耐短路 IGBT - TO-252591110+￥10.3776100+￥9.8587500+￥9.51281000+￥9.49552000+￥9.42635000+￥9.33987500+￥9.270710000+￥9.2361 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道固支20A - D2PAK内部钳位的PowerMESH TM IGBT N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH TM IGBT5252 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R56915+￥4.669725+￥4.323850+￥4.0816100+￥3.9779500+￥3.90872500+￥3.82225000+￥3.787610000+￥3.7357 -
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品类: IGBT晶体管描述: 30 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 30 A - 600 V - short circuit rugged IGBT15595+￥23.747550+￥22.7326200+￥22.1643500+￥22.02221000+￥21.88022500+￥21.71785000+￥21.61637500+￥21.5148 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 380V 40A 176000mW Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R718910+￥10.6476100+￥10.1152500+￥9.76031000+￥9.74262000+￥9.67165000+￥9.58287500+￥9.511910000+￥9.4764 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 600V 25A 80W D2PAK82945+￥5.612025+￥5.196350+￥4.9053100+￥4.7806500+￥4.69742500+￥4.59355000+￥4.551910000+￥4.4896 -
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGD5NB120SZT4 单晶体管, IGBT, 10 A, 1.2 kV, 75 W, 1.2 kV, TO-252, 3 引脚726310+￥10.6824100+￥10.1483500+￥9.79221000+￥9.77442000+￥9.70325000+￥9.61427500+￥9.542910000+￥9.5073 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道7A - 600V电源DPAK IGBT MESH N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT12585+￥5.513425+￥5.105050+￥4.8191100+￥4.6966500+￥4.61492500+￥4.51285000+￥4.472010000+￥4.4107 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt Npt 600V 31A 139W To263-3 - Skb15n60 E8151978910+￥11.8596100+￥11.2666500+￥10.87131000+￥10.85152000+￥10.77255000+￥10.67367500+￥10.594610000+￥10.5550 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A Automotive 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R54285+￥6.563725+￥6.077550+￥5.7372100+￥5.5913500+￥5.49412500+￥5.37255000+￥5.323910000+￥5.2510 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 9.6A 3Pin(2+Tab) TO-26372245+￥14.162950+￥13.5576200+￥13.2187500+￥13.13391000+￥13.04922500+￥12.95245000+￥12.89187500+￥12.8313 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R231510+￥6.9828100+￥6.6337500+￥6.40091000+￥6.38932000+￥6.34275000+￥6.28457500+￥6.238010000+￥6.2147 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, NPT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚185710+￥7.6728100+￥7.2892500+￥7.03341000+￥7.02062000+￥6.96955000+￥6.90557500+￥6.854410000+￥6.8288
